英飞凌达到200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开端交给第一批产品

来源：BOB.COM 发布时间：2025-05-15 21:44:17

英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品道路图上获得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户供给第一批根据先进的200 mm SiC技能的产品。这一些产品在坐落奥地利菲拉赫的出产基地制作，将为高压使用范畴供给先进的SiC功率技能，包含可再次出产的动力体系、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌坐落马来西亚居林的出产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开端大批量出产。

英飞凌科技首席运营官Rutger Wijburg博士表明：“咱们正在按计划施行SiC产品的出产，而且十分高兴将开端为客户供给第一批产品。经过菲拉赫和居林出产基地的SiC产品分阶段进入量产，咱们正在提高本钱效益并继续保证产品质量，一起保证咱们的产能完成用户对SiC功率半导体的需求。”

SiC半导体为大功率使用带来了革新，它进一步提高了电源开关的功率、在极点条件下具有高度的可靠性和稳健性，还能够完成更小尺度的规划。凭借英飞凌的SiC产品，客户能够为电动汽车、快速充电站和铁路运输，以及可再次出产的动力体系和AI数据中心开发节能解决方案。向客户供给第一批根据200 mm晶圆技能的SiC产品标志着英飞凌在SiC产品道路图上迈出了实质性的一步，该道路图的重点是为客户供给全面的高性能功率半导体产品组合，推进绿色动力的开展并对二氧化碳的减排做出奉献。

作为专心于高度立异宽禁带（WBG）技能的“英飞凌虚拟协同工厂”，英飞凌坐落菲拉赫和居林的出产基地经过同享技能和制程工艺，完成了SiC和氮化镓（GaN）产品制作的快速进入量产和平稳高效的运营。现在，200 mm SiC的出产为英飞凌业界抢先的半导体技能和功率体系解决方案如虎添翼，稳固了公司在硅以及碳化硅和氮化镓等整个功率半导体范畴的技能身先士卒的优势。

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